适用于硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟等材质的wafer背面研磨工艺，能够实现高度的平整度以及高质量的表面处理，研磨后Ra＜50nm。可根据研发和生产需要自主选配自动对刀、自动测量功能，片子固定方式支持粘蜡和真空吸附等方式，可提供夹具、砂轮定制化服务。